檢索結果：共34筆資料 檢索策略： "Ching-Wen Hsue".ecommittee (精準) and ckeyword.raw="注入鎖定除頻器"
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第一部分，呈現是使用一個電容性交叉耦合的注入鎖定除二除頻器，實現於台積電(TSMC)點一八製程，晶片面積為0.550 × 1.027 mm2，此架構由兩個N型金氧半電晶體交錯耦合對為中心所組成的電壓…
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本論文提出三個除頻器，第一個電路先描述一個低功耗除二寬鎖頻範圍注入鎖定除頻器，使用 TSMC 0.18 μm CMOS製程。此注入鎖定除頻器是除二電路。量測結果為供應電壓0.4 V，核心電流為3.8…
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現代的無線通訊系統，其中之頻率合成器的功能是處理訊號頻率的升降頻。於頻率合成器電路中，電壓控制振盪器與除頻器是很重要的核心電路。就電壓控制振盪器而言，其設計必須提供低相位雜訊的輸出，進而避免相鄰雜訊…
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壓控振盪器與除頻器是頻率合成器電路中主要的電路之一。對壓控振盪器而言，低相位雜訊可避免相鄰雜訊訊號經由混波轉換的干擾。而振盪器的輸出則經由除頻器來達成降頻的工作，因此，除頻器需具有高頻操作，寬的操作…
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本論文提出三個電路，第一個電路先描述一個超寬鎖頻範圍除五注入鎖定除頻器，是使用 TSMC 0.18 μm CMOS製程。此注入鎖定除頻器是使用雙諧振RLC共振腔以及線性混波器來擴展鎖頻範圍。量測結果…
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DC-DC升壓器通常用於將輸入電壓提升至所需電壓。在積體電路中，通常使用充電泵來進行DC-DC轉換，進而產生出高於電源電壓或是低於接地電壓的輸出電壓。另一種利用電感元件的DC-DC轉換器非常…
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此論文提出了一個壓控振盪器(VCO)及二個注入鎖定除頻(ILFDs)，它們分別使用了標準台積電0.18微米CMOS製程、CIC MEMS後製程和0.35微米SiGe BiCMOS製程去實現。 …
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壓控振盪器與除頻器是頻率合成器電路中，主要的電路之一。對壓控振盪器而言，低相位雜訊可避免相鄰雜訊訊號經由混波轉換的干擾。而振盪器的輸出則經由除頻器來達成降頻的工作，因此，除頻器需具有高頻操作，寬的操…
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本論文主要描述四個不同型式的注入鎖定除頻器，其分別為“具有主動電感之注入鎖定除頻器三電路”、“低功率主動電感注入鎖定除頻器”、 “小面積3D transformer注入鎖定除二電路”以及“小面積主動…